EUV（极紫外线）光掩模的制作是一个复杂的过程，涉及到多个步骤，主要包括：

掩模坯准备

掩模坯由衬底、反射多层、覆盖层、吸收剂层和硬掩模层组成。

衬底通常由高纯度的石英制成。

反射多层用于反射EUV光，通常由钼和硅的交替层构成。

覆盖层保护反射多层不受损伤。

吸收剂层用于吸收EUV光，通常由钽氮化物（TaN）或硅基材料构成。

硬掩模层用于保护吸收剂层，通常由硅或硅氧化物构成。

粘合层形成

在掩模坯上方形成一层粘合层，用于固定光致抗蚀剂。

光致抗蚀剂图案化

在粘合层上方形成一层光致抗蚀剂。

使用曝光和显影技术对光致抗蚀剂进行图案化，形成所需的图形。

图案化粘合层和硬掩模层

使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模，对粘合层进行图案化。

同样，使用图案化的光致抗蚀剂对硬掩模层进行图案化。

吸收剂层图案化

使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模，对吸收剂层进行图案化。

硬掩模层去除

图案化完成后，去除硬掩模层。

最终检验

对掩模进行最终检验，确保图案的准确性和质量。

在整个过程中，需要注意的是，光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性要高于对硬掩模层的粘附性，这是为了保证在后续的刻蚀过程中，吸收剂层能够被正确地转移图案到衬底上。